W掺杂NiOx薄膜的制备及全固态电致变色器件的性能

• 作者: 刘静 孟凡禹 汪洪
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 磁控溅射 钨掺杂氧化镍 电致变色器件
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 874-878
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 2773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.06.003

摘要

采用直流反应磁控溅射技术,使用原子比4:1的镍钨合金靶,在不同氩氧比条件下制备了W掺杂的NiOx薄膜.利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),分光光度计和光谱椭圆偏振仪(S E)对薄膜进行分析和表征,研究溅射过程中氧分压对薄膜形貌、结构和光学性能的影响.研究结果表明:颗粒之间相互接触在薄膜表面形成片状结构;随着氧分压上升,薄膜中的颗粒尺寸减小,结晶程度下降,衍射峰的位置向小角度方向移动;光学透过率和光学带隙随氧分压上升而下降,而折射率和消光系数则随氧分压上升而增大.最优工艺条件下制备的电致变色器件结构为FTO/Liy WO3/电解质/W掺杂NiOx/ITO.器件在波长550nm处的光调制幅度为56.3％,着色态透过率为3.9％,褪色态透过率为60.2％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘静		28	109	6.0	10.0
2	汪洪		20	35	3.0	5.0
3	孟凡禹		1	0	0.0	0.0