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摘要:
为了有效实现高谐波抑制并提高功率附加效率,提出了一种适用于4G-LTE无线通信系统的高效F类功率放大器.该功率放大器使用了低电压p-HEMT晶体管和小型微带抑制单元,能够在低射频输入功率下产生n次谐波抑制和较高的功率附加效率PAE(Power Added Efficiency).采用谐波平衡法对提出的功率放大器进行了仿真分析.测量结果显示,提出功率放大器的工作频率为1.8 GHz,带宽为100 MHz,平均PAE为76.9%,且具有2 V的极低漏极电压.射频输入功率范围分别为0~12 dBm时,最大输出功率和增益分别为23.4 dBm和17.5 dBm.
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文献信息
篇名 应用于4G-LTE无线通信系统的F类高PAE射频功率放大器
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 4G-LTE F类 功率附加效率 功率放大器 微带抑制
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目 电子电路设计分析及应用
研究方向 页码范围 1205-1210
页数 6页 分类号 TN722.75
字数 2596字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曲鸣飞 北京电子科技职业学院机电工程学院 56 60 3.0 5.0
2 陈楠 北京电子科技职业学院机电工程学院 8 5 1.0 1.0
3 马蕾 北京电子科技职业学院电信工程学院 36 110 6.0 9.0
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2019(2)
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研究主题发展历程
节点文献
4G-LTE
F类
功率附加效率
功率放大器
微带抑制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
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