一种并发双频段CMOS LNA的分析与设计

• 作者: 庞建丽 高丽娜
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 双频段 低噪声放大器 低功耗 高增益
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1964字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.181244

摘要

基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于WLAN IEEE 802.11 a/b/g标准的并发双频段低噪声放大器(LNA).为了在功耗限制下同时实现噪声系数和输入阻抗的匹配,采用共源共栅电感退化拓扑结构.该LNA在2.4 GHz和5.2 GHz下,输入发射系数分别为-16.7 dB和-19.5 dB,正向增益分别为16.8 dB和17.2 dB.而且在2.4 GHz和5.2 GHz下,噪声系数分别取得了3.1 dB和3.2 dB,输入三阶截止点分别为-18.5 dBm和-16.5 dBm.该LNA在1.2V电压供电下,所消耗的功耗为2.64 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高丽娜		16	55	4.0	7.0
2	庞建丽		21	65	4.0	7.0