基于0.18 μm CMOS工艺的2.4/5.2 GHz双频段LNA的设计

• 作者: 孙玲 景一欧 景为平 李勇 赖宗声
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 共源共栅结构 双频段 射频开关 阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1144-1147
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 1953字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.005

摘要

采用0.18 μm CMOS工艺,实现了双频段低噪声放大器设计.通过射频选择开关,电路可以分别工作在无线局域网标准802.11g规定的2.4 GHz和802.11a规定的5.2 GHz频段.该低噪声放大器为共源共栅结构,设计中采用了噪声阻抗和输入阻抗同时匹配的噪声优化技术.电路仿真结果表明:在2.4 GHz频段电路线性增益为15.4 dB,噪声系数为2.3 dB,1 dB压缩点为-12.5 dBm,IIP3为-4.7 dBm;5.2 GHz频段线性增益为12.5 dB,噪声系数为2.9 dB,1 dB压缩点为-11.3 dBm,IIP3为-5.5 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	景为平	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	55	267	9.0	13.0
2	赖宗声	华东师范大学信息学院电子系	136	779	13.0	18.0
3	孙玲	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	68	237	8.0	11.0
4	李勇	华东师范大学信息学院电子系	19	90	5.0	9.0
5	景一欧	华东师范大学信息学院电子系	3	12	2.0	3.0