MoOx缓冲层对backwall型超薄CdTe太阳电池性能的模拟

• 作者: 冯晓东 陈文超
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碲化镉 氧化钼 backwall结构 薄膜太阳电池 SCAPS-1D
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1360-1362,1397
• 页数: 4页
• 分类号: TM914
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2018.09.033

摘要

采用SCAPS模拟软件对backwall型结构(glass/lTO/MoOx/CdTe/CdS/SnO2/Ag)的超薄CdTe太阳电池的性能进行了模拟研究.在backwall型超薄CdTe电池中,CdTe吸收层为迎光面,入射光从CdTe层进入,而非经典CdTe电池结构中的CdS层,避免了CdS层对短波段的吸收,提高了短波段光子的响应.添加MoOx缓冲层后,降低了ITO与CdTe层间的接触势垒,同时,形成了电子反射层,还降低了电子与空穴的复合几率.因此,这一结构不仅提高了电池的短路电流密度(JSC),还将电池的开路电压(VOC)提高到了1V以上.在模拟中当MoOx缓冲层为2 nm时,有赖于较理想的ITO功函数和界面复合速率,得到了最高效率达25.5％的超薄CdTe太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯晓东	南京工业大学材料科学与工程学院	13	86	3.0	9.0
2	陈文超	南京工业大学材料科学与工程学院	3	11	1.0	3.0