基于55nm工艺大容量EFUSE烧写特性研究

• 作者: 左卫松 武建宏
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 EFUSE 电迁移
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.06.009

摘要

传统EFUSE烧写主要通过电压与时间的组合来实现.但是由于大容量的EFUSE本身内部的寄生电阻造成EFUSE的各个单元的应加条件不同,导致烧写结果不同.而采用传统电压方式烧写EFUSE可能出现瞬间大电流,导致EFUSE热效应爆炸或熔断.在这种效应下EFUSE炸出的东西会污染周边电路导致短路失效.或者EFUSE熔化扭曲消耗的能量,导致EFUSE没有烧断.当EFUSE在高温烘烤时熔断部分可能再次连接导致EFUSE数据失效.即使烧断也有部分EFUSE单元熔后电阻偏小,影响长期使用的可靠性.采用电流模式的EFUSE烧写可以有效避免热效应产生的可靠性问题,使EFUSE在电迁移模式下进行可靠烧写编程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武建宏		1	1	1.0	1.0
2	左卫松		1	1	1.0	1.0