限制空间法制备大尺寸单层二硫化钨薄膜

• 作者: 南海燕 史丽弘 张秀梅 肖少庆 顾晓峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 限制空间 单层WS2薄膜 CVD 大尺寸
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 1254-1260
• 页数: 7页
• 分类号: O782+.7
• 字数: 2526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2018.06.029

摘要

采用一种限制空间的化学气相沉积方法,在整个SiO2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、大尺寸、高质量的单层WS2薄膜,薄膜尺寸随生长时间可控,最大尺寸可达500 μm.利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光、拉曼以及XPS等手段对所得的单层WS2样品进行了表征.结果表明:限制空间方法可以很好地对两种源粉的比例进行调控,制备的单层WS2薄膜样品以三角形为主导,有着清洁的表面、均匀的荧光和拉曼强度分布,以及较高的单晶质量.限制空间化学气相沉积方法操作简单,可控性与可重复性高,可以为其他过渡金属硫属化合物单层薄膜材料的大面积、大尺寸、高质量生长提供借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史丽弘	江南大学理学院光电信息科学与工程系	4	0	0.0	0.0