高功率密度3600A/4500V压接型IGBT研制

• 作者: 刘国友 窦泽春 罗海辉 覃荣震 黄建伟
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率密度 压接型 绝缘栅双极晶体管 快速恢复二极管
• 年，卷（期）: 2018,（16）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 4855-4862
• 页数: 8页
• 分类号: TM23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13334/j.0258-8013.pcsee.180419

摘要

该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管(fast recovery diode,FRD)芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求.