SiHCl3还原工艺的关键参数探究

• 作者: 梅艳 胡小冬 贾曦
• 来源期刊: 山东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 节能降耗 改良西门子法 还原 氢化
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 生产与应用
• 页码范围: 96-97,99
• 页数: 3页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 3453字
• 语种: 中文

摘要

多晶硅制备方法主要有气液沉积法、流化床法、硅烷热解法、冶金法、物理提纯法、改良西门子法等.改良西门子法由于安全性好、沉积速率高、纯度较高等优点,成为目前应用最广泛的工艺方法.SiHCl3还原是其中一项关键技术,也是主要耗能部分.在国家提倡建设节能降耗、绿色环保型企业的背景下,如何提高SiHCl3一次转化率和Si的沉积速率,从而提高产量和质量,降低能耗,具有重要意义.本文针对该问题探究相关参数和优化方法,结合生产实践,探究合理解决方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾曦		25	22	4.0	4.0
2	梅艳		24	12	3.0	3.0
3	胡小冬		11	7	1.0	2.0