SiHCl3-H2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究

• 作者: 孙仁安 张旭 韩克利
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 过渡态 反应机理 速率常数
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 页码范围: 1695-1698
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 1940字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2006.09.018

摘要

采用密度泛函理论计算方法, 在B3LYP/6-311G*水平下, 计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量. 结果表明, 在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应, 但其均未还原出Si原子, 只有衬底Si参与SiHCl3-H2的反应, Si原子才淀积在Si衬底上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩克利	中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室	45	180	5.0	12.0
2	孙仁安	辽宁师范大学化学系	29	64	4.0	6.0
6	张旭		54	79	5.0	7.0