SiHCl3-H2体系多晶硅化学气相沉积的传递-动力学模型

• 作者: 侯彦青 俞小花 宋东明 戴永年 聂陟枫 谢刚 马文会
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 传递-动力学模型 多晶硅 化学气相沉积 硅沉积速率 传递现象
• 年，卷（期）: 2016,（11）
• 所属期刊栏目: 矿业工程 ? 冶金工程 ? 化学与化学工程 ? 材料科学与工程
• 页码范围: 3627-3634
• 页数: 8页
• 分类号: TF645.3.4
• 字数: 6533字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2016.11.002

摘要

提出SiHCl3-H2体系多晶硅化学气相沉积的传递?动力学模型(TKM)，同时考虑传递过程和表面化学反应动力学对硅沉积速率的影响。研究硅沉积过程受表面化学反应速率限制和传递速率限制的边界条件，并且研究表面化学反应速率受氢气浓度限制或SiHCl3(TCS)浓度限制的边界条件，提出同时受氢气浓度限制和TCS 浓度限制的边界条件。为了验证TKM的有效性，应用该模型计算硅棒长度为2 m、硅棒直径为10 cm、气流速度为0.67 m/s、硅棒表面温度为1398 K、常压(0.1 MPa)条件下，不同H2/SiHCl3配比下的硅沉积速率。研究结果表明：通过TKM的计算结果与Habuka所测得的实验数据比较，相对误差为3.6%(小于10%)，表明该模型准确可靠。