多晶硅化学气相沉积反应的三维数值模拟

• 作者: 周乃君 夏小霞 王志奇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 化学气相沉积 数值模拟 沉积速率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 569-575
• 页数: 7页
• 分类号: TK01
• 字数: 3152字
• 语种: 中文

摘要

建立了多晶硅化学气相沉积反应的三维模型,同时考虑质量、能量和动量传递,利用CFD软件对炉内的流动、传热和化学反应过程进行了数值模拟,并分析了硅沉积速率、SiHC13转化率、硅产率以及单位能耗随H2摩尔分数的变化规律.结果表明:计算结果与文献数据吻合较好;随着硅棒高度的增加,硅沉积速率不断增大;最佳的进气H2摩尔分数范围为0.8 ～0.85.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周乃君	中南大学能源科学与工程学院	134	909	16.0	22.0
2	王志奇	湘潭大学机械工程学院	27	209	8.0	13.0
3	夏小霞	中南大学能源科学与工程学院	21	160	7.0	12.0