加强宽禁带半导体材料的研发与应用

• 作者: 屠海令
• 来源期刊: 科学中国人
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 宽禁带 高频功率 光电转化 能量损耗 晶体生长 禁带宽度 应用层面
• 年，卷（期）: kxzgr,（2）
• 页码范围: 40-41
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

宽禁带(一般指禁带宽度>2.3eV)半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮。其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。回顾历史,20世纪50年代中期出现Si C晶体生长的第1个专利。2007年美国Cree公司成功制备直径100mm的SiC零微管衬底,而后推出二极管产品并在技术和应用层面取得了长足进展。

作者信息

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1	屠海令		1	0	0.0	0.0