美、日、欧金刚石半导体材料和器件发展研究

• 作者: 史超
• 来源期刊: 机电信息
• 关键词: 金刚石 超宽禁带 晶体生长 掺杂 功率电子器件
• 年，卷（期）: 2018,（18）
• 所属期刊栏目: 综合研究
• 页码范围: 170-171,173
• 页数: 3页
• 字数: 3576字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0797.2018.18.086

摘要

金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点.现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件在日本、欧洲、美国的发展现状,重点阐述了单晶材料生长、掺杂工艺、衬底和外延技术等进展,以及金刚石功率电子器件的最新成果,包括金刚石PIN二极管、金刚石场效应晶体管等.分析了金刚石半导体器件产品化需要突破的关键技术,对国际上金刚石半导体材料和器件的发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史超	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0