声表面波器件用SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备

• 作者: 刘金龙 安康 李成明 邵明阳 闫雄伯 陈良贤 魏俊俊
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石膜 磁控溅射 SiO2/ZnO/金刚石/硅多层结构 声表面波器件
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TQ164
• 字数: 5274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2019.2.0001

摘要

为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征.结果 表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1.不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜.采用最优的ZnO和SiO2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏俊俊	北京科技大学新材料技术研究院	32	112	5.0	9.0
2	李成明	北京科技大学新材料技术研究院	71	480	12.0	19.0
3	陈良贤	北京科技大学新材料技术研究院	34	69	4.0	5.0
4	刘金龙	北京科技大学新材料技术研究院	34	82	5.0	7.0
5	闫雄伯	北京科技大学新材料技术研究院	5	8	2.0	2.0
6	邵明阳	北京科技大学新材料技术研究院	1	1	1.0	1.0
7	安康	北京科技大学新材料技术研究院	5	12	2.0	3.0