离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用

• 作者: 屈小勇 郭永刚 高嘉庆
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 太阳电池 退火 方块电阻 结深
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 1022-1027
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4|TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.013

摘要

采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证.实验结果表明,当离子注入剂量为7×1014cm-2、注入能量为10 keV、退火时间为20 min、退火温度为870～890℃时,电池表面方块电阻超过130 Q/□,均匀性良好,结深可达0.6 μm.当离子注入剂量小于7×1014 cm-2时,方块电阻值过大,且均匀性较差.均匀性良好的高方块电阻可有效降低电池表面的少子复合,进而有助于提升电池效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永刚		12	8	2.0	2.0
2	屈小勇		8	6	2.0	2.0
3	高嘉庆		2	1	1.0	1.0