GaN基电力电子器件关键技术的进展

• 作者: 彭韬玮 敖金平 王霄
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓(GaN) GaN横向器件 GaN垂直器件
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 4-15
• 页数: 12页
• 分类号: O472.4
• 字数: 7869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.4

摘要

氮化镓GaN(gallium nitride)材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中.目前,GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种.其中,横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)工艺兼容性已逐步实现产业化,但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题;垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压,具有非常广阔的市场前景,也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战.基于此,主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭韬玮	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
2	王霄	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
3	敖金平	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0