2～4 GHz MMIC低噪声放大器

• 作者: 井永成 冷永清 唐舸宇 尹军舰 李仲茂
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 单片集成电路 砷化镓 高增益
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 通信与网络
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-6236.2019.01.015

摘要

针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数.仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1 dB,增益高于30.6 dB,输入回波损耗低于-8 dB,输出回波损耗低于-10 dB,芯片面积为2 mm*1.5 mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
2	冷永清	中国科学院微电子研究所	15	33	3.0	4.0
3	李仲茂	中国科学院微电子研究所	6	11	2.0	2.0
4	井永成	中国科学院微电子研究所	3	4	1.0	2.0
8	唐舸宇	中国科学院微电子研究所	2	4	1.0	2.0