12～18GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

• 作者: 孙博文 方堃 杨漫菲 王磊 陈庆
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ku波段 毫米波单片集成电路 低噪声放大器 GaAs工艺
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 348-351
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 1948字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201902.0348

摘要

采用GaAs工艺设计了一个12～18 GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求.仿真表明:在12～18 GHz的工作频带内,噪声系数为1.15～1.41 dB,增益为27.9～29.1 dB,输出1 dB压缩点达到15 dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	电子科技大学电子工程学院	51	356	8.0	16.0
2	陈庆	电子科技大学电子工程学院	8	44	3.0	6.0
3	孙博文	电子科技大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0
4	方堃	电子科技大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0
5	杨漫菲	电子科技大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0