基于GaN器件的半桥式固态射频电源应用研究

• 作者: 姜力铭 桂成东 谭平平 陈文光
• 来源期刊: 南华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 射频电源 GaN功率器件 半桥变换器 开关电源
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 机械工程·电气工程
• 页码范围: 49-54,60
• 页数: 7页
• 分类号: TM24|TN86
• 字数: 2749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19431/j.cnki.1673-0062.2019.02.008

摘要

随着电力电子行业的发展,射频电源对高效率、轻量化的要求逐渐提高.硅(Si)材料的理论极限,约束了Si功率器件在高频、高压及大功率等场所的应用.基于氮化镓(GaN)半导体材料制备的功率器件与Si器件相比,具有导通阻抗低、输入输出电容小等特性.基于这些特性,采用GaN管设计制作了一款开关频率为2 MHz的半桥式固态射频电源样机.通过电路的设计和优化,样机输出2 MHz的标准正弦波.样机的输出功率为14.9 W时,效率可达到95.5％,功率密度可达到78.9×10-3 W/cm3.同时,采用专为射频电源生产的Si功率器件替换掉样机上的GaN器件,验证了GaN器件与Si器件相比,可大幅度提高半桥式固态射频电源的整机效率和功率密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈文光	南华大学电气工程学院	66	288	10.0	14.0
2	谭平平	南华大学电气工程学院	4	2	1.0	1.0
3	桂成东	南华大学电气工程学院	3	2	1.0	1.0
4	姜力铭	南华大学电气工程学院	4	2	1.0	1.0