真空电弧熔炼制备U3Si2块体及其杂质状态研究

• 作者: 胡殷 蒋春丽 谢东华 闫婷文 陈志磊
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: U3Si2 电弧熔炼 杂质状态 表面氧化
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 真空冶炼
• 页码范围: 441-446
• 页数: 6页
• 分类号: TB79|TL211
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.05.14

摘要

U3Si2作为核燃料,相比于传统的UO2燃料,具有高的铀密度和良好的导热性等优点,是极具潜力的下一代核燃料候选.U3 Si2多采用电弧熔炼的方法制备,但目前对U3Si2材料的表面杂质状态的研究仍有待深入开展.本文通过真空四电弧熔炼方法制得了U3Si2样品.通过X射线衍射仪分析了样品结构与取向特性.能量色散谱仪以及X射线光电子能谱分析表明,电弧熔炼得到的U3Si2样品主要含有C、O杂质,其中C杂质属于表面附着,而O杂质来源于表面氧化,以及熔炼过程中引入的少量O杂质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋春丽		10	23	3.0	4.0
2	谢东华	中国工程物理研究院材料研究所	15	51	4.0	6.0
3	胡殷		4	0	0.0	0.0
4	闫婷文		1	0	0.0	0.0
5	陈志磊	中国工程物理研究院材料研究所	1	0	0.0	0.0