基于GaN HEMTs的S波段大功率固态功放组件设计

• 作者: 张瑞 彭恩超
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 功放组件 氮化镓 高电子迁移率晶体管 S波段 雷达 大功率
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 206-211
• 页数: 6页
• 分类号: TN602
• 字数: 4043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2019.02.017

摘要

介绍了一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的S波段大功率固态功放组件,详细阐述了组件的微波链路设计、热设计、BITE设计以及电源设计等设计中的关键性问题.测试结果表明,组件在450μs脉宽、15％占空比条件下输出峰值功率不小于1.6 kW,效率达到40％.组件创新性地采用实时参数化的数字采样技术、激励/控制输入通道的冗余设计技术,适应高可靠雷达系统的健康管理对组件的智能化要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭恩超	中国电子科技集团公司第三十八研究所	2	1	1.0	1.0
2	张瑞		1	1	1.0	1.0