基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

• 作者: 戈硕 时晓航 陈晓青
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 内匹配 功率放大器 S波段
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 1122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

摘要

采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器.通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗.在设计过程中,采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成.此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标:工作脉宽100 μs,在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800W,漏极效率大于60％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈晓青		5	9	1.0	2.0
2	时晓航		2	1	1.0	1.0
3	戈硕		1	0	0.0	0.0