基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计

• 作者: 刘新宇 刘果果 刘键 庞磊 张辉 曾轩 李诚瞻 王亮 袁婷婷 陈中子 陈晓娟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 内匹配 功率合成 功率放大器
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1794-1796
• 页数: 3页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 1427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.023

摘要

利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器.电路包含有四个AlGaN/GaN HEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路.在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Pat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.