C波段GaN HEMT内匹配功率放大器

• 作者: 唐厚鹭 徐涛 曹欢欢 王昭笔
• 来源期刊: 无线电工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 宽带 高效率 功率放大器
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 54-57
• 页数: 4页
• 分类号: TN454
• 字数: 1373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3106.2017.03.14

摘要

基于通信对功率放大器的宽带和高效率的需求,给出了一款C波段GaN HEMT内匹配功率放大器的设计过程.该器件由2个3 mm栅宽的GaN功率管芯和制作在Al203陶瓷基片上的输入输出匹配电路组成.通过调节键合丝和电容,实现了功率放大器在4.4～5.0 GHz,5.2～5.9 GHz和6.0～6.6 GHz三个典型工程应用频段的设计,功放在这3个典型工程应用频段内输出功率均大于43dBm (20W),附加效率大于60％,功率增益大于10 dB,充分显示了GaN功率器件宽带、高效率的工作性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐涛	电子科技大学物理电子学院	1	5	1.0	1.0
2	唐厚鹭	电子科技大学物理电子学院	1	5	1.0	1.0
3	王昭笔	电子科技大学物理电子学院	1	5	1.0	1.0
4	曹欢欢	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	5	1.0	1.0