S波段GaN内匹配功放管

• 作者: 王乐乐 谢凌霄 钟世昌 鞠久贵
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 内匹配 功率放大器 S波段
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 1868字
• 语种: 中文

摘要

实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放.以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真,采用单个24 mm GaN HEMT管芯实现大功率输出.使用微波仿真软件ADS进行输出匹配和小信号仿真和优化,得到良好的仿真结果并给出最终的测试数据.在34 V漏电压、1 ms周期、10％占空比的测试条件下,40 dBm输入功率时,2.7～3.1 GHz频率范围内,输出功率超过170W,功率附加效率超过55％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟世昌		15	22	3.0	3.0
2	王乐乐		1	0	0.0	0.0
3	谢凌霄		1	0	0.0	0.0
4	鞠久贵		1	0	0.0	0.0