X波段GaN HEMT内匹配器件

• 作者: 冯志红 冯震 宋建博 张志国 李静强 杨克武 王勇 蔡树军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT 内匹配 输出功率 功率增益 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1783-1785
• 页数: 3页
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.027

摘要

自主研制的GaN HEMT,栅源泄漏电流从10-4 A量级减小到了10 -6 A量级,有效提高了栅漏击穿电压,改善了器件工作特性.采用MIS结构制作了2.5mm栅宽GaN HEMT,测试频率为8GHz,漏源电压为33V时,器件连续波输出功率为18.2W,功率增益为7.6dB,峰值功率附加效率为43.0%.2.5mm×4 GaN HEMT内配配器件,测试频率8GHz,连续波输出功率64.5W,功率增益7.2dB,功率附加效率39%.