本征缓冲层厚度对纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的影响

• 作者: 刘阳 郭群超
• 来源期刊: 上海电机学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硅 异质结 界面态 能带补偿
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 机电工程
• 页码范围: 315-320
• 页数: 6页
• 分类号: TM615
• 字数: 3171字
• 语种: 中文

摘要

采用纳米硅和晶体硅材料设计了一种纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池,并利用wxAMPS软件对该电池的基本性能进行了模拟.仿真发现,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,它对电池的填充因子和开路电压影响非常明显.如果在电池的纳米硅与晶体硅交界处插入1 nm厚的纳米本征缓冲层,可以降低缺陷态密度的消极影响,提高光伏电池的光电转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭群超	上海电机学院电气学院	3	0	0.0	0.0
2	刘阳	上海电机学院电气学院	3	15	2.0	3.0