InSb/HfO2堆栈在原位退火过程中利用同步辐射光电子能谱对元素扩散的研究

• 作者: 史笑然 孙勇 王星录 董红
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 同步辐射光电子能谱 InSb/HfO2堆栈 原子层沉积 退火 扩散
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺与实验
• 页码范围: 94-97,105
• 页数: 5页
• 分类号: TN101
• 字数: 3328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.06.15

摘要

InSb作为重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料已经应用在光电探测器、中红外激光器等领域,但InSb与氧化物的界面质量对制造高性能器件仍然至关重要.通过对InSb/HfO2堆栈在300和400℃下原位退火来系统地研究其热稳定性.为了研究InSb/HfO2堆栈衬底元素的扩散,利用原子层沉积技术沉积了大约5 nm厚的HfO2薄膜,通过光子能量为750和600 eV的同步辐射光电子能谱来进行表征时只能探测到堆栈界面以上部分的元素信息.研究发现对HCl预处理和天然氧化样品,In氧化物的扩散分别发生在300和400℃退火后,Sb氧化物的扩散现象只在原子层沉积之后的HCl预处理样品上被发现.本工作强调了为提高InSb器件性能而对界面进行有效钝化的紧迫性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王星录	南开大学电子信息与光学工程学院	2	0	0.0	0.0
2	董红	南开大学电子信息与光学工程学院	2	0	0.0	0.0
3	孙勇	南开大学电子信息与光学工程学院	1	0	0.0	0.0
4	史笑然	南开大学电子信息与光学工程学院	1	0	0.0	0.0