六角氮化硼(h-BN)对单层硒化铟(InSe) 的调制效应及这一新结构的电子性质

• 作者: 张智慧 李赫 段理 谢子锋 郑丹
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InSe/h-BN异质结 第一性原理 能带结构 晶格调控
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 505-510
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 3082字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.03.023

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算和分析了三种InSe/h-BN异质结的结构和电子性质.研究发现InSe/h-BN异质结具有间接带隙特点,并且价带顶和导带底的贡献均来自于InSe,差分电荷密度表明体系中没有明显的电荷交换.通过体系能带结构,我们发现h-BN层对单层InSe有着明显的调控效应.对比纯粹应变调控下单层的InSe的能带结构,发现h-BN对InSe能带结构的调控效应实际上是由InSe和h-BN之间的相互作用而诱导的晶格应变引起的.我们的研究结果表明,单层InSe沉积或生长在不同h-BN片上可以获得不同的晶格应变,实现对单层InSe能带结构的有效调控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段理	长安大学材料科学与工程学院	12	24	3.0	4.0
2	李赫	长安大学环境科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
3	谢子锋	长安大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
4	张智慧	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
5	郑丹	长安大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0