一种高精度自偏置的带隙基准源

• 作者: 孔德鑫 张明科 李冬 莫啸
• 来源期刊: 数字技术与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 自偏置 带隙基准 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 应用研究
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19695/j.cnki.cn12-1369.2019.08.37

摘要

本文基于TSMC 28nm HPC工艺,设计了一款应用于900mV低压差线性稳压器(Low output Voltage,LDO)的高精度自偏置带隙基准源.仿真结果表明,在1.8V的工作电压下,该带隙基准的输出电压接近600mV.tt模式,温度范围-40℃到125℃,该带隙基准的温度系数低至8.8ppm/℃,具有良好的温度特性.tt模式,27℃时,低频的电源抑制比达到78.8dB,静态电流15.4μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬	中国电子科技集团公司第三十八研究所	2	2	1.0	1.0
2	莫啸	中国电子科技集团公司第三十八研究所	1	0	0.0	0.0
3	张明科	中国电子科技集团公司第三十八研究所	1	0	0.0	0.0
4	孔德鑫	中国电子科技集团公司第三十八研究所	1	0	0.0	0.0