瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟

• 作者: 卢兵 周彬 李勇 王军 陈厚和 黄亦斌
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体桥(SCB) 瞬态电压抑制二极管 电爆特性
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 837-844
• 页数: 8页
• 分类号: TJ45|O38
• 字数: 4660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11943/CJEM2019007

摘要

为了解决瞬态电压抑制二极管(TVS)用于半导体桥火工品抗静电设计的参数优化问题,采用电路模拟和试验相结合的方法,构建了电容放电发火测试电路等效模型和半导体桥PSpice电子器件模型,研究了TVS参数对半导体桥换能元电爆特性的影响.结果表明,当钽电容等效串联电阻为288 mΩ,钽电容等效串联电感为0.68μH,导线电感为40 nH和回路电阻为3.3 mΩ 时,22μF/16 V电容放电发火电路的等效电路模型和实际吻合.以阻抗-能量列表模型的方式创建的半导体桥PSpice电子器件模型模拟曲线和实际曲线吻合,且模拟电爆数据偏差小于3％.模拟和试验结果表明,TVS对半导体桥电爆性能的影响程度随着其击穿电压的升高而降低.当TVS的击穿电压在8～12 V之间时,即使TVS击穿电压低于半导体桥发火电压,半导体桥仍能正常爆发,TVS击穿造成的分流导致半导体桥爆发延迟(2μs),且延迟时间随着TVS击穿电压的降低而延长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周彬	南京理工大学化工学院	53	505	12.0	20.0
2	陈厚和	南京理工大学化工学院	54	262	8.0	13.0
3	王军	南京理工大学化工学院	66	259	8.0	9.0
4	李勇	中国工程物理研究院化工材料研究所	6	11	2.0	3.0
5	黄亦斌	南京理工大学化工学院	2	0	0.0	0.0
6	卢兵		1	0	0.0	0.0