氮化硅膜层对TFT白点色度均匀性的影响及其改善

• 作者: 刘增利 刘广东 叶成枝 吕艳明 安晖 廖伟经 彭俊林 操彬彬 李恒滨 杨增乾 栗芳芳 陆相晚 马力 黄正峰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜晶体管 氮化硅薄膜 白点色度均匀性 折射率
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 1166-1171
• 页数: 6页
• 分类号: O439
• 字数: 2750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193412.1166

摘要

基于相同点位分别测试了TFT白点色度均匀性(WCU)和各层氮化硅(SiNx)膜厚,并分析了二者的关联性,发现TFT WCU与栅极绝缘层(GI)和第二绝缘层(PVX2)两层的相关性较大,而与厚度最薄,折射率最大的第一绝缘层(PVX1)最不相关;提出了降低GI层剩余厚度避免低速沉积GI(GL)的残留和降低PVX2膜层厚度以提升面内均一性的改善方案,最终使得产品的TFT WCU均值降低约0.000 7;最大值由改善前的0.007 0降至改善后的0.005 2,满足了最大值≤0.005 5的目标值,改善效果明显.