化学气相沉积可控制备超薄二维MoS2纳米片

• 作者: 刘俊 招瑜 肖志明 郭宗亮 魏爱香
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二维(2D)材料 化学气相沉积(CVD) 二硫化钼(MoS2) 纳米片 SiO2/Si衬底
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 666-673
• 页数: 8页
• 分类号: TB383|TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.08.012

摘要

采用化学气相沉积(CVD)技术,以硫粉和MoO3为反应剂、氩气为载气,在SiO2/Si衬底上制备超薄二维MoS2纳米片.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、喇曼光谱和光致发光光谱测试分析技术,研究硫粉送入距离对超薄MoS2纳米片的形貌、结构和光学性质的影响规律.结果 表明:硫粉送入距离为17～25 cm时,距离MoO31 cm的SiO2/Si衬底上形成平行于衬底生长的二维MoS2纳米片;硫粉送入距离为25～29 cm时,MoO3正上方的SiO2/Si衬底上形成竖直排列的二维MoS2纳米片.通过调控硫粉送入距离和衬底的位置可以控制MoS2的形成过程,实现水平排列和垂直排列二维MoS2纳米片的可控生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	广东工业大学材料与能源学院	33	141	6.0	10.0
2	魏爱香	广东工业大学材料与能源学院	42	197	7.0	11.0
3	招瑜	广东工业大学材料与能源学院	17	86	4.0	8.0
4	郭宗亮	广东工业大学材料与能源学院	1	1	1.0	1.0
5	肖志明	广东工业大学材料与能源学院	4	7	2.0	2.0