Short-channel effects on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs

• 作者: Chen CHEN[1] Mingjun LIU[1] Qian XIE[1] Shuang XIA[1] Zheng WANG[1]
• 来源期刊: 中国科学
• 学科: 工学
• 关键词: 2D semiconductor model SNM SCEs SRAM
• 年，卷（期）: zgkx_2019,（6）
• 页码范围: 98-105
• 页数: 8页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文