无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器

• 作者: 刘艳艳 张为 文枭鹏
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 混频器 负阻抗 导数叠加 低功耗 高线性度
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 89-94
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2019.01.012

摘要

物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长.延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点.为解决射频前端功耗和线性度的问题, 提出了一种改进型的吉尔伯特混频器.相比于传统吉尔伯特混频器, 该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构, 结合了电流复用技术和导数叠加技术, 实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗, 抵消了寄生电容的影响, 从而在低功耗情况下提高了线性度.基于HHNEC 0.18μm Bi CMOS工艺后仿真结果表明, 该混频器在射频频率0.4～3 GHz时转换增益为6.2～7.6 d B, 在2.4 GHz频率下输入三阶交调点 (input third-order intercept point, IIP3)为14.96 d Bm, 在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 m W.该混频器核心电路尺寸为460μm×190μm.与相关工作对比, 该混频器具有低功耗、高线性度的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张为	天津大学微电子学院	71	358	10.0	15.0
2	刘艳艳	南开大学电子信息与光学工程学院	25	52	4.0	6.0
3	文枭鹏	天津大学微电子学院	1	1	1.0	1.0