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Nonvolatile memristor based on heterostructure of 2D room-temperature ferroelectric α-In2Se3 and WSe2
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摘要：
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| 篇名 | Nonvolatile memristor based on heterostructure of 2D room-temperature ferroelectric α-In2Se3 and WSe2 | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 2D ferroelectricity α-In2Se3 heterostructure nonvolatile memristor polarization | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2019,（12） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 115-122 | |
| 页数 | 8页 | 分类号 | TN2 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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