篇名 | A study on ionic gated MoS2 phototransistors | ||
来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
关键词 | MoS2 phototransistor electrolyte-gel gating Schottky barrier electric double layer two-dimensional materials | ||
年,卷(期) | zgkx_2019,(12) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 123-130 | |
页数 | 8页 | 分类号 | TN3 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |