不同压强下BiI3的电子结构和光学性质

• 作者: 王广涛 申陈海
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理计算 结构性质 电子结构 光学性质 高压
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 极端条件下的原子分子物理
• 页码范围: 283-289
• 页数: 7页
• 分类号: O472
• 字数: 1590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2019.02.019

摘要

基于密度泛函理论研究了压强对BiI3的结构、电子和光学性质的影响,研究过程中考虑了自选轨道耦合(SOC)效应.计算的能带结果表明:在0 GPa条件下,BiI3具有1.867电子伏特的间接带隙,随压强的提升带隙值降低;施加压强也能增强BiI3的光吸收系数和光电导率.在0 GPa条件下,BiI3的吸收系数为4×105 cm-1,光电导率为3×103Ω-1·cm-1,因此BiI3可作为光伏应用的备选材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申陈海	河南师范大学物理与材料科学学院	2	5	1.0	2.0
2	王广涛	河南师范大学物理与材料科学学院	20	29	2.0	5.0