压力对β-Si3N4的电子结构和光学性质的影响

• 作者: 丁迎春 徐明 沈益斌 潘洪哲
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 355-359
• 页数: 5页
• 分类号: O742
• 字数: 2717字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2007.03.025

摘要

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),对不同压强下β-Si3N4的电子结构和光学性质进行了计算,较好地解释了已经报道的实验结果,进一步研究了β-Si3N4其它物理参数随外压力的变化规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘洪哲	临沂师范学院物理系	3	9	2.0	3.0