Flash阵列无效块管理优化设计

• 作者: 张宇 文丰 杨志文 焦新泉 贾刘彬 赵冬青
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Flash阵列 固有无效块 突发无效块 现场可编程门阵列
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 1284-1288
• 页数: 5页
• 分类号: TP301
• 字数: 2890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.05.040

摘要

针对Flash阵列的无效块,首先对固有无效块提出了两种管理方案:方案一是基于BRAM查表,方案二是基于整合块理念;其次对传统解决突发无效块方法存在的不足,提出了空闲回读的机制.利用MT29F128G08A存储芯片进行实验测试验证,实验表明两种固有无效块管理方案各有优势,适用于不同场合,方案一存储空间利用率相对方案二较高,但通道内BRAM资源消耗较大;而空闲回读机制具有在既不影响存储速度又不占用较大FPGA内部资源的前提下将突发无效块数据回读的优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦新泉	中北大学电子测试技术国家重点实验室	67	229	8.0	11.0
2	文丰	中北大学电子测试技术国家重点实验室	44	321	10.0	16.0
3	张宇	中北大学电子测试技术国家重点实验室	11	27	4.0	5.0
4	赵冬青	中北大学电子测试技术国家重点实验室	21	49	4.0	6.0
5	贾刘彬	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
6	杨志文	中北大学电子测试技术国家重点实验室	3	1	1.0	1.0