450nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

• 作者: 周坤 唐淳 康俊杰 张亮 李弋 杜维川 武德勇 王昭 胡耀 谭昊 郭林辉 高松信
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 GaN 腔面反射率 空间烧孔
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 204-207
• 页数: 4页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS201939.0614002

摘要

分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证.结果 表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率.当前腔面反射率为5％时,斜率效率大于1.3 W· A-1,并在3A的连续工作电流下,获得了2.6W的高功率输出.