基于激光诱导击穿光谱技术的铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析方法

• 作者: 修俊山 刘世明 刘云燕
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 化学
• 关键词: 光谱学 激光诱导击穿光谱 薄膜分析 光学禁带宽度 铜铟镓硒 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 光谱学
• 页码范围: 283-288
• 页数: 6页
• 分类号: O657.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201946.0911001

摘要

采用单靶磁控溅射方法在不同溅射时间下制备了铜铟镓硒薄膜,并且利用激光诱导击穿光谱技术实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速定量分析.结果 表明:随着溅射时间延长,Ga与(In+Ga)的谱线强度比值以及薄膜的禁带宽度同步变化,均呈先减小后增大的规律;铜铟镓硒薄膜的激光诱导击穿光谱图以及谱线分析、几种元素辐射强度比值的快速定量分析都表明,激光诱导击穿光谱技术能够间接地实现对铜铟镓硒薄膜中元素含量比的快速检测,能够在铜铟镓硒薄膜的性能分析以及制备参数优化方面发挥辅助作用.