后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究

• 作者: 顾学强
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 后道互连 金属钨 化学汽相淀积工艺 金属铝 高密度等离子 金属空洞
• 年，卷（期）: 2019,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.012

摘要

对金属钨淀积工艺中温度对形貌和电学性质的影响进行研究,通过比较450℃和425℃金属钨化学汽相淀积工艺的差异,发现425℃下淀积的金属钨薄膜的方块电阻和标准偏差都略高于450℃下生长的金属钨薄膜.425℃工艺条件淀积的金属钨的通孔电阻高于450℃W条件下的接触电阻.从FIB结果看,425℃和450℃钨沉积均有发现空洞,450℃工艺条件下沉积的金属钨形成的接触孔空洞比425℃形成的空洞略小.同时研究了金属铝后道互连工艺中的金属空洞问题,发现在SEM照片中看到的金属空洞有些是由于工艺原因造成的,有些只是因为SEM制样造成的.而HDP的温度过高是金属空洞形成的可能性之一.尝试通过电学测量数据对金属空洞进行量化,但从数据可以得出结论利用ET数据对空洞问题进行量化还是比较困难.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾学强		2	1	1.0	1.0