内部压力不均对压接式IGBT器件电热特性的影响分析

• 作者: 周静 姚然 康升扬 李辉 李金元
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压接式IGBT 压力不均 电热分布 并联芯片 模拟
• 年，卷（期）: 2019,（16）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 3408-3415
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 字数: 5022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.180769

摘要

大规模多芯内部并联的压接式IGBT(PPI)器件是柔性直流输电装备的关键部件,针对器件设计和工艺等因素可能导致并联芯片内部压力不均、压接式封装结构难以直接提取内部压力不均状况及其影响的问题,提出一种基于单芯压接式器件并联,模拟研究多芯器件内部压力不均影响的方法.首先,基于压力对单芯器件的影响规律,建立两个独立PPI器件并联的有限元模型,模拟分析不同压力对多芯并联器件电热特性的影响.然后,建立两个单芯PPI器件并联运行的模拟实验平台,验证并联仿真模型的有效性.最后,将并联模型拓展至3300V/1500A实际PPI模块的特性仿真,分析了多芯并联模组内部压力不均对电热特性的影响规律.结果表明,内部压力不均影响多芯并联器件内部的电、热特性分布,其中压力对热阻的影响是器件温度分布的决定性因素,而且随着压力不均程度的增加,芯片间的电热特性差异更明显.压力不均导致的温度差异随着老化程度的增加而增加,并将进一步加速芯片老化,严重影响器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金元		8	22	3.0	4.0