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摘要:
刻蚀及去PSG可去除扩散后在硅片背面及周围形成的P-N结以及硅片表面的磷硅玻璃,有效地降低电池的并联电阻,提升电池转化效率.湿法刻蚀过程中过刻是一种常见的异常现象,会造成产品的批量返工.本文对晶硅电池制备过程中湿法刻蚀及去PSG工序过刻现象进行了简单分析.
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薄膜及晶硅电池
功率推算
外推法
内插法
利用湿法刻蚀的方式制备黑硅
黑硅材料
湿法刻蚀
表面形貌
光吸收率
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 浅谈晶硅电池刻蚀去PSG工序过刻情况
来源期刊 中国设备工程 学科 工学
关键词 过刻 P-N结 毛细作用 表面张力
年,卷(期) 2019,(24) 所属期刊栏目 工艺与技术
研究方向 页码范围 134-135
页数 2页 分类号 TM91
字数 1903字 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
过刻
P-N结
毛细作用
表面张力
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国设备工程
半月刊
1671-0711
11-4623/N
大16开
北京市西城区月坛北小街2号院1号楼3层海运国际酒店二层
82-374
1985
chi
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21366
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45
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19871
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