n-InN/p-NiO异质结能带排列的X射线光电子能谱测量

• 作者: 崔晓敏 张磾 景强 焦飞 王景峰 蔡令波
• 来源期刊: 山东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: InN NiO 异质结 能带排列 X射线光电子能谱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: O475
• 字数: 3479字
• 语种: 中文

摘要

为了准确确定n-InN/p-NiO价带和导带的补偿,使基于n-InN/p-NiO异质结的光电子器件应用和器件模型分析更加科学,利用X射线光电子能谱测量了n-InN/p-NiO异质结的价带补偿.异质结的价带补偿值为0.38±0.19 eV,导带补偿为3.33±0.19 eV,表明该异质结为交错型能带排列.与具有断带型能带排列的InN/Si和InN/GaAs异质结相比,n-InN/p-NiO异质结可以更容易地形成p-n结.