用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究

• 作者: 周燕萍 左超 李茂林 杨秉君 王宇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光光学 垂直腔面激光发射器 电感耦合等离子体刻蚀 圆台结构 GaAs/AlGaAs材料
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 激光器件与激光物理
• 页码范围: 47-52
• 页数: 6页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.0401005

摘要

采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究.该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响.利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响.最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周燕萍		2	0	0.0	0.0
2	李茂林		2	0	0.0	0.0
3	左超		2	0	0.0	0.0
4	杨秉君		2	0	0.0	0.0
5	王宇		1	0	0.0	0.0