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摘要:
基于0.25μm砷化镓赝品高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)工艺,设计了一款应用于星载微波接收机的L波段单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).该低噪声放大器采用电流复用拓扑结构,降低了芯片的工作电流,节省了宝贵的卫星能量资源;通过两级负反馈方式优化了器件的稳定性和增益平坦度,提高了卫星通信质量;恒流源的偏置结构使得工作电流随工艺波动较小,芯片维持在稳定的工作状态下.测试结果表明:该放大器工作电流为35 mA,在频率范围0.9~1.8 GHz内,增益大于33 dB,噪声系数小于0.6dB,增益平坦度小于0.5dB;芯片尺寸为2.0mm×1.3mm,满足航天产品的高性能小型化应用需求.
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文献信息
篇名 星载L波段宽带低噪声放大器芯片设计
来源期刊 中国空间科学技术 学科 工学
关键词 低噪声放大器 单片微波集成电路 负反馈 宽带 噪声系数 接收机
年,卷(期) 2020,(3) 所属期刊栏目 航天器微波技术专栏
研究方向 页码范围 19-24
页数 6页 分类号 TN43
字数 3119字 语种 中文
DOI 10.16708/j.cnki.1000-758X.2020.0028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐鑫 5 16 2.0 4.0
2 张大为 2 2 1.0 1.0
3 徐辉 12 60 4.0 7.0
4 贺娟 2 2 1.0 1.0
5 赵博超 1 0 0.0 0.0
6 殷盼 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
低噪声放大器
单片微波集成电路
负反馈
宽带
噪声系数
接收机
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国空间科学技术
双月刊
1000-758X
11-1859/V
大16开
北京市9622信箱
1981
chi
出版文献量(篇)
1605
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10592
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