用于铜电化学机械抛光的羟基乙叉二膦酸基电解液反应机理研究

• 作者: 刘作涛 吴由頁 康仁科 郭江 金洙吉
• 来源期刊: 电加工与模具
• 学科: 工学
• 关键词: 羟基乙叉二膦酸 电化学机械抛光 反应机理
• 年，卷（期）: 2020,（3）
• 所属期刊栏目: 电化学加工
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: TG662
• 字数: 3802字
• 语种: 中文

摘要

在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(vs.SCE)限制了反应过程中的材料去除率.为解决此问题,在较高电位下对铜进行动电位腐蚀、静电位腐蚀和ECMP试验,研究工艺可行性并探索电解液的反应机理.结果表明:在6 V(vs.SCE)下,能最大程度地提高铜片的表面粗糙度和材料去除率.反应机理推测:从工作电极电离得到的铜离子与两个HEDP分子反应生成配位化合物[CuL2]6-后与K+结合形成配位化合物[KCuL2]5-.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康仁科	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	165	2562	24.0	44.0
2	金洙吉	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	105	1334	18.0	32.0
3	郭江	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	5	41	3.0	5.0
4	刘作涛	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	4	0	0.0	0.0
5	吴由頁	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0